2016 年 10 月 24 日，佛山市國星光電股份有（yǒu）限公司(以下簡稱（chēng）“公司”)第四屆董事會第二次會議審議通過了《關於投資美國 RaySent 科技（jì）公司進行 LED 大功率芯片研發的（de）議案》。

2016 年 12 月 13 日，國星與美國 RaySent 科（kē）技（jì）公司(RaySent Technologies, Inc.)(以下（xià）稱“RaySent 科技”)簽署增資協議，公司以自有資金 1,100 萬美元增資 RaySent 科技，投資完成後，RaySent 科技成為公司的控股子公司。

目前，本次投（tóu）資事項（xiàng）已取得廣東省商務廳核準並予以頒發《企業境外投資證書》，其餘境外投資的核準及報備文件，由公司（sī）董事會授權專人負（fù）責辦理後續具體事宜。

據了解，RaySent 科技主要研發、生產、銷售 LED 外延、芯片、器件及 LED 照明產品，以及其他半導體類相關（guān）器件及產品，提供售後服（fú）務，技術支持，相關工程和服務。

2016 年，擁有矽襯底大功率 LED 芯片及相關專有技術的主要核心團隊成員在美國（guó）成立（lì） RaySent 科技，其所具有（yǒu）的知識產權及專有技術涵（hán）蓋（gài）了外延生長、芯片製造、封裝等 LED 生產過程的全部環節。

通過本次合作， RaySent 科技將獨（dú）有的（de）矽襯底 GaN 外延技術及垂直結構 LED 及其衍生結構的知識產權授權給公司及子公司，並通過公司及子公司實現（xiàn）產業化生產（chǎn）。上述（shù）技術合作順利實施後， RaySent 科技將獨立開（kāi）拓市場，同時繼續致力於開發其他基於矽（guī）襯底的第三代半導體相關技術與產（chǎn）品。

毋庸置疑， RaySent 科技矽襯底大功率 LED 芯片及相關專有技術具有高技術（shù）性和商業價值。

不可否認，矽襯底擁有晶（jīng）體尺寸大、成本低（dī）、易加工、熱（rè）導率高和熱穩定性好等優點，可（kě）大幅降低 LED 芯片的造價，有（yǒu）利於（yú） LED 器件的小（xiǎo）型化和高電流密度化發展。同時，可期待薄膜結（jié）構的（de）矽基（jī） GaN LED 芯片有更高的良率和更好的（de）器件可靠性。

此次之外，RaySent 科技核心團隊成員均有著二十年以上豐富的工作經（jīng）驗和（hé）產業發展經（jīng）驗。

RaySent 科技（jì）團隊長期研究及優（yōu）化的薄膜結構 LED 芯片適用範圍廣，且相關芯片產品普（pǔ）遍利潤（rùn）率較高，將有助於公司規避同質化競爭（zhēng），打造具（jù）有核心競爭力的新產品投放市場，可實現公司短（duǎn）時間、低成本地（dì）提高現有產品性能和規模化生產之目標。

國星光電表示，公（gōng）司致力成為全麵發展的 LED 企業，本次合作是（shì）公司加快（kuài）國際化進程及推進全球化戰略實施的重（chóng）要一步，也（yě）是落實創新戰略（luè）的重要部署（shǔ），有助於公司提升上遊技術實力，促進公司上中下（xià）遊產（chǎn）業鏈均衡做大做強做優，形成優（yōu）勢競爭格局;另一方麵，隨著 RaySent 科技的發展，公司可展望（wàng）實現較好投資盈利預期，增強業務擴張能力，提升公司的產業（yè）地位、綜合實力及新領域開拓能力。